High speed switching. (Tf : Typ. : 20ns at IC = -3A) Low saturation voltage, typically The 2SA2071 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-126

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.

High speed switching. (Tf : Typ. : 20ns at IC = -3A) Low saturation voltage, typically The 2SA2071 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-126

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental conditions.