EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTORS The 2SA933 is a PNP silicon transistor manufactured by ROHM. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -0.7A
- **Power Dissipation (Pc):** 0.8W
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320
- **Package:** TO-92

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and conditions.

EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTORS The 2SA933 is a PNP silicon transistor manufactured by various companies, including Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -0.7A
- **Collector Dissipation (PC):** 0.8W
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320
- **Package:** TO-92

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.