MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) Part 2SB1188.Q is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications for this transistor:

- **Transistor Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-126

These specifications are based on the datasheet provided by ROHM Semiconductor for the 2SB1188.Q transistor.