Bipolar Transistor The 2SB1204T is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications of the 2SB1204T transistor include:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220F

These specifications are typical for the 2SB1204T transistor and are based on the manufacturer's datasheet.

Bipolar Transistor The 2SB1204T is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-220F

These specifications are typical for the 2SB1204T transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.