NPN Silicon General Purpose Transistor The 2SC1213A is a high-frequency transistor manufactured by HITACHI. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Applications**: Designed for high-frequency amplification, particularly in VHF band amplifier stages.
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 600MHz
- **Noise Figure (NF)**: 3dB (typical at 100MHz)
- **Gain Bandwidth Product (GBW)**: Not explicitly stated in the provided knowledge base.

These specifications are typical for the 2SC1213A transistor and are subject to variations based on operating conditions and manufacturing tolerances.

NPN Silicon General Purpose Transistor The 2SC1213A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Hitachi. It is designed for use in high-frequency amplification and oscillation applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 50mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW
- **Transition Frequency (fT):** 600MHz
- **Gain Bandwidth Product (fT):** 600MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is available in a TO-92 package.