Silicon NPN Epitaxial The 2SC2324 is a high-frequency transistor manufactured by Hitachi. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 4V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 800MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files.

Silicon NPN Epitaxial The 2SC2324 is a high-frequency transistor manufactured by HITACHI. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Noise Figure (NF)**: 3dB (typical at 1GHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.

Silicon NPN Epitaxial The 2SC2324 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Hitachi. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (ft)**: 100MHz
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 100MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and limits defined therein.