Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications The 2SC2713-GR is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 150mA
- **Collector Dissipation (PC)**: 200mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 120 to 320 (at VCE=6V, IC=1mA)
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC2713-GR transistor as provided by Toshiba.