NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) The 2SC5548A is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-speed switching, amplification in high-frequency circuits
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 120 to 400 (at IC = 0.1A, VCE = 6V)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5548A transistor.

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) The 2SC5548A is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 1500V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at VCE=5V, IC=1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (min)
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for high-voltage applications such as power supplies and inverters.