Silicon P Channel MOS FET The 2SJ517YYTL-E is a P-channel MOSFET manufactured by Renesas Electronics. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: Renesas Electronics
- **Type**: P-channel MOSFET
- **Package**: SOP-8
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: -30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: -6.5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 2.5W
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.045Ω (max) at Vgs = -10V, Id = -6.5A
- **Gate Threshold Voltage (Vth)**: -1V to -3V
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: Power management, load switching, and other general-purpose applications.

These specifications are based on the provided knowledge base and are subject to the datasheet provided by Renesas Electronics.