Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching The 2SJ518 is a P-channel MOSFET manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -30A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.04Ω (typical) at Vgs = -10V, Id = -15A
- **Gate Threshold Voltage (Vth):** -1V to -3V
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by NEC for the 2SJ518 MOSFET.

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching The 2SJ518 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V DSS):** -30V
- **Continuous Drain Current (I D):** -30A
- **Power Dissipation (P D):** 30W
- **Gate-Source Voltage (V GS):** ±20V
- **On-Resistance (R DS(on)):** 0.045Ω (max) at V GS = -10V, I D = -15A
- **Threshold Voltage (V GS(th)):** -1.0V to -2.5V
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C
- **Package:** TO-220SIS

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics, refer to the official datasheet from Toshiba.

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching The 2SJ518 is a P-channel MOSFET manufactured by Renesas Electronics. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -50A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.018Ω (typical) at Vgs = -10V, Id = -25A
- **Gate Threshold Voltage (Vth):** -1V to -3V
- **Package:** TO-220AB

These specifications are typical for the 2SJ518 MOSFET, designed for high-power switching applications.