Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching The 2SJ576 is a P-channel MOSFET manufactured by Renesas Electronics. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -50A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.018Ω (typical) at Vgs = -10V
- **Gate Threshold Voltage (Vth):** -1V to -3V
- **Package:** TO-220AB

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on specific application conditions.