Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching The **2SK2737** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

With a drain-source voltage (V_DSS) rating of 500V and a continuous drain current (I_D) of up to 9A, the 2SK2737 ensures efficient power handling while minimizing conduction losses. Its low gate charge and fast switching characteristics make it suitable for high-frequency operations, improving overall system efficiency.  

The MOSFET features a compact TO-220F package, offering a balance between thermal performance and space-saving design. Its built-in fast-recovery diode enhances reliability in inductive load applications, reducing the risk of voltage spikes.  

Engineers often select the 2SK2737 for its robustness and consistent performance under demanding conditions. Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or automotive electronics, this component provides a reliable solution for power management challenges.  

When integrating the 2SK2737 into a circuit, proper heat dissipation and gate drive considerations are essential to maximize efficiency and longevity. Its specifications make it a versatile choice for designers seeking a dependable power MOSFET.

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Part number 2SK2737 is a MOSFET transistor manufactured by Hitachi. Here are the key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 900V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 2.5Ω (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics and application notes, refer to the official Hitachi datasheet for the 2SK2737.