2SK2795Manufacturer: HITACHI Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| 2SK2795 | HITACHI | 1000 | In Stock |
Description and Introduction
Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier The **2SK2795** is a high-performance N-channel power MOSFET designed for a variety of switching and amplification applications in electronic circuits. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supplies, motor control systems, and audio amplifiers.  
With a robust voltage and current rating, the 2SK2795 ensures efficient power handling while minimizing energy loss, making it suitable for both industrial and consumer electronics. Its compact TO-220 package allows for effective heat dissipation, enhancing reliability in demanding environments.   Key features of the 2SK2795 include a low threshold voltage, enabling efficient operation with minimal gate drive requirements, and a high drain-source breakdown voltage, ensuring stable performance under varying load conditions. Engineers and designers favor this MOSFET for its durability and consistent performance in high-frequency applications.   Whether used in DC-DC converters, inverters, or other power management systems, the 2SK2795 provides a dependable solution for efficient power control. Its combination of speed, efficiency, and thermal stability makes it a preferred choice in modern electronic design. |
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips