P-Channel 40-V (D-S) MOSFET High performance trench technology The AOD413 is a P-channel MOSFET manufactured by Alpha & Omega Semiconductor (AOS). Below are the key specifications from the manufacturer's datasheet:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -13A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -52A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 36mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -6.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V (at I_D = -250µA)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

For exact performance characteristics, refer to the official AOS datasheet.

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET High performance trench technology The AOD413 is manufactured by ALPHA and is a P-channel MOSFET. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.7A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.11Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

For detailed specifications, refer to the official ALPHA datasheet.