N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE The part AP2302N is a P-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by Diodes Incorporated. Below are its key specifications:

- **Type**: P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.7A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.7V to -1.5V  
- **Package**: SOT-23  

For detailed information, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE The part AP2302N is manufactured by APEC (Advanced Power Electronics Corp.). It is a P-Channel MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -6.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 60mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -5.2A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: SOP-8  

APEC is a Taiwanese semiconductor company specializing in power management solutions. The AP2302N is designed for applications such as power switching, load switching, and DC-DC conversion.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE The part **AP2302N** is manufactured by **富鼎 (Advanced Power Electronics Corporation, APEC)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage (VDS):** 30V  
- **Current (ID):** 60A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **RDS(ON) (Max):** 4.5mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (Min) – 2.5V (Max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed technical parameters, refer to the official documentation from **富鼎 (APEC)**.