N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The part AP2306N is manufactured by APEC (Advanced Power Electronics Corp.). It is a P-Channel MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -6.3A  
- **R_DS(on) (Max)**: 65mΩ at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

APEC specializes in power semiconductor devices, including MOSFETs, IGBTs, and power ICs. The AP2306N is designed for applications such as power management, DC-DC converters, and load switching.  

For detailed datasheets or further technical information, refer to APEC's official documentation.