Simple Drive Requirement, Low Gate Charge The AP60T03GP is a power MOSFET manufactured by APEC. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 60A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 180A
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.03Ω (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V
- **Package**: TO-220
- **Applications**: Power switching in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency systems.  

For detailed electrical characteristics, refer to APEC's official datasheet.

Simple Drive Requirement, Low Gate Charge The AP60T03GP is a P-channel MOSFET manufactured by AP (Advanced Power Electronics Corp.). Here are its key specifications:  

- **Type:** P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -30A  
- **R_DS(on) (Max):** 60mΩ @ V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet.