N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The **AP9T16GH** is a high-performance electronic component designed for advanced applications in digital systems and embedded designs. As a part of the semiconductor industry, this component is engineered to deliver reliable performance, efficient power consumption, and robust functionality in demanding environments.  

Featuring a compact form factor, the AP9T16GH integrates multiple functions into a single package, making it suitable for space-constrained applications. Its architecture supports high-speed data processing, making it ideal for use in computing, telecommunications, and industrial automation systems. The component is built with precision to ensure stability under varying operational conditions, including temperature fluctuations and voltage changes.  

Compatibility with industry-standard interfaces enhances its versatility, allowing seamless integration into existing designs. Engineers and developers can leverage its capabilities to optimize system performance while maintaining energy efficiency. Additionally, the AP9T16GH adheres to stringent quality standards, ensuring long-term reliability and durability in critical applications.  

For professionals seeking a dependable solution for high-speed digital processing, the AP9T16GH represents a well-balanced choice, combining performance, efficiency, and adaptability. Its technical specifications make it a valuable component in modern electronics, catering to evolving technological demands.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The AP9T16GH is a power MOSFET manufactured by ANPEC Electronics Corporation. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: ANPEC Electronics Corporation  
- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 36A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.16Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 10nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typ)  
- **Switching Characteristics**: Fast switching speed  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the AP9T16GH.