IC Phoenix logo

Home ›  A  › A67 > APM2306

APM2306 from 茂达Sanyo,Sanyo

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

APM2306

Manufacturer: 茂达Sanyo

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
APM2306 茂达Sanyo 6860 In Stock

Description and Introduction

N-Channel Enhancement Mode MOSFET The APM2306 is manufactured by 茂达 (Anpec Electronics Corporation).  

Key specifications of the APM2306 include:  
- **Type**: Dual N-channel MOSFET  
- **Package**: SOP-8  
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
- **Current Rating (ID)**: 6A per channel  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 45mΩ (typical) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (typical)  
- **Power Dissipation (PD)**: 2W (per channel)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For precise details, refer to the official documentation from Anpec.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
APM2306 ANPEC 150000 In Stock

Description and Introduction

N-Channel Enhancement Mode MOSFET The APM2306 is a power MOSFET manufactured by ANPEC Electronics Corporation. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGSS)**: ±20V  
- **Drain Current (ID)**: 60A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD)**: 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 8.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 2800pF (typical)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  

These specifications are based on standard operating conditions (25°C unless noted). For detailed performance curves or application-specific data, refer to ANPEC's official datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
APM2306 6860 In Stock

Description and Introduction

N-Channel Enhancement Mode MOSFET The APM2306 is a power MOSFET manufactured by Diodes Incorporated. Below are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 30V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 60A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 240A
- **Power Dissipation (PD)**: 125W
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **On-Resistance (RDS(on))**: 4.5mΩ (max) at VGS = 10V
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (min), 2.5V (max)
- **Package**: TO-252 (DPAK) or TO-263 (D2PAK)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on standard testing conditions. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips