Silicon Monolithic Integrated Circuit The BD6607KN is a PNP transistor manufactured by ROHM Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -4A  
- **Power Dissipation (PD)**: 30W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = -1A, VCE = -5V)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

It is commonly used in power amplification and switching applications.

Silicon Monolithic Integrated Circuit The BD6607KN is a PNP power transistor manufactured by ROHM Semiconductor. Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -4A (continuous)  
- **Collector Dissipation (PC)**: 40W (at Ta = 25°C)  
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = -2A, VCE = -5V)  
- **Operating Temperature Range (Tj)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220FN (5-pin)  

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.