isc Silicon PNP Power Transistor The BD722 is a silicon NPN power transistor manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 80V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 100V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 3A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 30W
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15-60 (at I_C = 0.5A, V_CE = 5V)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C

These specifications are based on standard operating conditions unless otherwise noted.