OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET The BSC120N03MSG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type:** N-channel
- **Technology:** OptiMOS™ 3
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120 A
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480 A
- **Power Dissipation (P_tot):** 333 W
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2 mΩ (max) at V_GS = 10 V
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130 nC (typical)
- **Input Capacitance (C_iss):** 5700 pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200 pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 320 pF (typical)
- **Avalanche Energy (E_AS):** 360 mJ (single pulse)
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C
- **Package:** PG-TDSON-8 (5x6 mm)

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSC120N03MSG.