IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) The BSM100GB120DN2K is a power semiconductor module manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** BSM100GB120DN2K  
- **Module Type:** Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C):** 100 A  
- **Configuration:** Half-bridge  
- **Package:** 34 mm (module size)  
- **Technology:** NPT (Non-Punch Through) IGBT  
- **Diode Included:** Yes (anti-parallel freewheeling diode)  
- **Isolation Voltage (V_ISO):** 2500 V (min)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Typical Applications:** Motor drives, UPS, industrial inverters  

This module is designed for high-power switching applications.