62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode The **BSM300GB120DLC** from Infineon is a high-performance **IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module** designed for demanding power electronics applications. With a voltage rating of **1200V** and a current rating of **300A**, this module is well-suited for industrial drives, renewable energy systems, and high-power inverters.  

Featuring a **low-loss trench-gate IGBT structure**, the BSM300GB120DLC ensures efficient switching performance and reduced conduction losses. Its **built-in anti-parallel diode** enhances system reliability by providing smooth reverse recovery characteristics. The module is housed in a **robust and compact package**, offering excellent thermal conductivity and mechanical stability for long-term operation in harsh environments.  

Key benefits include **low saturation voltage**, **high short-circuit withstand capability**, and **optimized thermal resistance**, making it ideal for applications requiring high power density and efficiency. The module also supports **parallel operation**, enabling scalability for higher power requirements.  

Engineers and designers will appreciate its **industry-standard footprint**, simplifying integration into existing systems. Whether used in motor drives, UPS systems, or solar inverters, the BSM300GB120DLC delivers reliable performance and durability, meeting the demands of modern power conversion solutions.  

For detailed specifications, refer to the official datasheet to ensure proper implementation in your design.