IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) The BSM50GD120DN2 is a power module manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: Dual IGBT Module
- **Voltage Rating (V_CES)**: 1200 V  
- **Current Rating (I_C)**: 50 A  
- **Configuration**: Half-bridge  
- **IGBT Technology**: TrenchStop™  
- **Diode Type**: Emitter Controlled (EC) diode  
- **Switching Frequency**: Optimized for high-frequency applications  
- **Isolation Voltage (V_ISO)**: 2500 V (UL certified)  
- **Package**: 34 mm (module size)  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +150°C  
- **Applications**: Motor drives, UPS, solar inverters, and industrial power supplies  

This module is designed for high efficiency and reliability in power electronic systems.

IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) The BSM50GD120DN2 is an IGBT module manufactured by EUPEC (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Voltage Rating (V_CES)**: 1200 V  
- **Current Rating (I_C)**: 50 A  
- **Configuration**: Dual IGBT with antiparallel diodes (half-bridge)  
- **Package**: Module (standard housing)  
- **Switching Frequency**: Suitable for medium-frequency applications  
- **Isolation Voltage**: Typically 2500 V (UL certified)  
- **Thermal Resistance (R_th(j-c))**: ~0.35 K/W per switch  
- **Weight**: Approximately 100 g  

Applications include motor drives, inverters, and industrial power systems. For detailed datasheet parameters, refer to Infineon's official documentation.