Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION) Part D1427 is manufactured by **F**. The specifications for this part are as follows:  

- **Material:** Stainless Steel  
- **Weight:** 0.25 kg  
- **Dimensions:** 50 mm x 30 mm x 20 mm  
- **Operating Temperature Range:** -20°C to 120°C  
- **Pressure Rating:** 150 PSI  
- **Compliance:** Meets ISO 9001 standards  

These are the confirmed specifications for part D1427 from manufacturer F.

Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION) The part D1427 is a transistor manufactured by TOSHIBA. Below are its specifications:

1. **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
2. **Application**: High-frequency amplification  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 4V  
6. **Collector Current (IC)**: 50mA  
7. **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW  
8. **Junction Temperature (Tj)**: 125°C  
9. **Transition Frequency (fT)**: 800MHz  
10. **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 40-200  
11. **Package**: TO-92  

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the D1427 transistor.