COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS The part D45C9 is manufactured by NS (ON Semiconductor). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: TO-92  
3. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
4. **Maximum Collector Current (I_C)**: 1A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
6. **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (depending on operating conditions)  
7. **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the verified specifications for the D45C9 transistor from NS (ON Semiconductor).