IC Phoenix logo

Home ›  D  › D18 > DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13 from DIODES

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

DMN3033LSD-13

Manufacturer: DIODES

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
DMN3033LSD-13,DMN3033LSD13 DIODES 5100 In Stock

Description and Introduction

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR # Introduction to the DMN3033LSD-13 Electronic Component  

The **DMN3033LSD-13** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management and switching applications. With its low on-resistance and high current-handling capability, this component is well-suited for use in DC-DC converters, motor control circuits, and load switching systems.  

Featuring a compact and efficient design, the DMN3033LSD-13 operates at a voltage rating of **30V** and supports a continuous drain current of **5.7A**, making it ideal for low-voltage, high-efficiency applications. Its fast switching characteristics minimize power losses, enhancing overall system performance.  

The MOSFET is housed in a **PowerDI® 123** package, which offers excellent thermal dissipation and space-saving benefits for modern PCB designs. Additionally, its robust construction ensures reliability in demanding environments.  

Engineers and designers often choose the DMN3033LSD-13 for its balance of performance, efficiency, and compact form factor. Whether used in consumer electronics, industrial automation, or automotive systems, this component provides a dependable solution for power control needs.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into your circuit design.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
DMN3033LSD-13,DMN3033LSD13 DIDDES 500 In Stock

Description and Introduction

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR The DMN3033LSD-13 is a MOSFET transistor manufactured by Diodes Incorporated. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 7.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 30A  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 30mΩ (max) at VGS = 10V, ID = 5.3A  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (min), 2.5V (max)  
- **Package**: SOT-23 (TO-236)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips