N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR The DMN3150LW-7 is a N-channel MOSFET manufactured by DIODES Incorporated. Here are its key specifications:  

- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.