60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The part DMN6066SSS-13 is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). It is a dual N-channel enhancement mode MOSFET in a SOT-363 package. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
- **Drain Current (I_D)**: 1.5A (per channel)  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 0.4V to 1.5V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for low-voltage, high-speed switching applications.

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The part **DMN6066SSS-13** is manufactured by **Diodes Incorporated (formerly Zetex)**. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
- **Current Rating (ID)**: 60A (continuous)  
- **RDS(ON)**: 6.6mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V to 2.5V  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Applications**: Power management, DC-DC converters, motor control  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet.