DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The DMP2035UTS-13 is a P-channel MOSFET manufactured by Diodes Incorporated. Here are its key specifications:

- **Type**: P-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: -20V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±12V
- **Continuous Drain Current (ID)**: -3.5A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: -14A
- **Power Dissipation (PD)**: 1.4W
- **RDS(ON) (Max)**: 50mΩ at VGS = -4.5V, 70mΩ at VGS = -2.5V
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: -0.7V to -1.5V
- **Package**: SOT-23 (3-pin)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: Power management, load switching, battery protection. 

This information is sourced from Diodes Incorporated's official datasheet.

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The DMP2035UTS-13 is a P-Channel MOSFET manufactured by DIODES. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.2A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.4W  
- **R_DS(ON) (Max)**: 45mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.7V (Max)  
- **Package**: SOT-23  

These are the factual specifications provided by DIODES for the DMP2035UTS-13.

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The DMP2035UTS-13 is a P-channel MOSFET manufactured by DIDOES. Here are its key specifications:

- **Type**: P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.7V (max)  
- **Package**: SOT-23  

These are the factual specifications provided for the DMP2035UTS-13 by DIDOES.