OptiMOS? Power-Transistor The **IPB100N04S2-04** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB100N04S2-04  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.4 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.3 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7000 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200 pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263-7 (D2PAK-7)  

### **Descriptions:**
- The **IPB100N04S2-04** is a high-performance **N-Channel MOSFET** designed for **power switching applications**.  
- It is part of Infineon’s **OptiMOS™** family, optimized for **low conduction losses** and **high efficiency**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and synchronous rectification** in industrial and automotive applications.  

### **Features:**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (100 A continuous, 400 A pulsed).  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for robust operation.  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  
- **Optimized for high-frequency switching** applications.  

This information is based solely on the manufacturer’s datasheet and technical documentation.