OptiMOS?3 Power-Transistor The **IPD031N03LG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480 A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.1 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Optimized for **low conduction losses** and **fast switching performance**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** in automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced power loss.  
- **High current capability** for robust performance.  
- **AEC-Q101 qualified** (for automotive applications).  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Optimized gate charge (Q_G)** for improved switching efficiency.  

For detailed datasheets, refer to **Infineon’s official documentation**.