OptiMOS?2 Power-Transistor The **IPD12N03LBG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Pb-Free Specifications:**  
- The device is **lead-free (Pb-free)** and complies with RoHS (Restriction of Hazardous Substances) directives.  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 12A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **RDS(on) (Max):** 0.018Ω @ VGS = 10V  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Ensures high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche Rated:** Robust against high-energy transients.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V gate drive signals.  
- **Thermal Performance:** Efficient heat dissipation due to TO-252 package.  

This information is based on Infineon's official datasheet and specifications. For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer's documentation.