OptiMOS?2 Power-Transistor The IPP054NE8N is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPP054NE8N  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.4mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The IPP054NE8N is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power electronics.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports up to 50A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against voltage spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IPP054NE8N. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.