HiPerFET Power MOSFETs Q-Class The IXFH40N30Q is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXFH40N30Q  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 300V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 160A  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.065Ω (typical)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The IXFH40N30Q is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capabilities, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Rating (300V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))**  
- **High Current Capability (40A continuous, 160A pulsed)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Robust Thermal Performance**  
- **TO-247 Package for Efficient Heat Dissipation**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.