HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack The **IXGH32N60AU1** is a power MOSFET manufactured by **IXYS**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXGH32N60AU1  
- **Transistor Type:** N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C at 25°C):** 32A  
- **Current Rating (I_C at 100°C):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical at I_C = 16A)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for **high-power switching applications** such as motor drives, inverters, and power supplies.  
- **Low conduction losses** due to optimized IGBT structure.  
- **Fast switching** performance for improved efficiency.  
- **High ruggedness** with built-in **freewheeling diode** for inductive load protection.  
- **Low thermal resistance** for better heat dissipation.  
- **Isolated mounting base** for simplified thermal management.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.