Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT The IXGH40N60 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 40A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (typical at V_GS = 15V, I_D = 20A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**
- **TO-247** (3-pin package)  

### **Descriptions and Features:**
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Capable of handling high-energy transients.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor drives, inverters, and high-frequency switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.