TrenchMV? Power MOSFET The IXTP44N10T is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXTP44N10T  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 44A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 176A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The IXTP44N10T is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for fast switching performance in applications such as motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides robust thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.