SCHOTTKY BARRIER DIODE Low forward current The LBAS40LT1G is a Schottky Barrier Rectifier manufactured by ON Semiconductor. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** LBAS40LT1G  
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Package:** SOD-123 (Surface Mount)  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30 A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 40 V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.5 V (Typical at 1 A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5 mA (Maximum at 40 V)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +125°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The LBAS40LT1G is a high-efficiency Schottky diode designed for low-voltage, high-frequency rectification applications.  
- It is suitable for switching power supplies, freewheeling diodes, and reverse polarity protection circuits.  
- The SOD-123 package provides a compact footprint for space-constrained PCB designs.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency in power-sensitive applications.  
- **High Surge Current Capability:** Withstands transient overload conditions.  
- **Fast Switching Speed:** Ideal for high-frequency rectification.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official ON Semiconductor datasheet.