Dual General Purpose Transistors NPN Duals The LBC848CDW1T1 is a transistor manufactured by ON Semiconductor. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 630 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The LBC848CDW1T1 is a general-purpose NPN transistor in a small SOT-363 package.  
- It is designed for low-power amplification and switching applications.  
- The device is RoHS compliant and halogen-free.  

### **Features:**
- **Low Noise:** Suitable for signal amplification.  
- **High Current Gain (h_FE):** Provides efficient amplification.  
- **Compact Package:** SOT-363 (SC-88) footprint for space-constrained designs.  
- **Matched Pair:** Some variants may include dual NPN transistors in a single package.  

For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.