General Purpose Transistors NPN Silicon RoHS requirements. The LMBT2222ALT1G is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **ON Semiconductor**  

### **Part Number:**  
- **LMBT2222ALT1G**  

### **Description:**  
- A surface-mount NPN bipolar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60 V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40 V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6 V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 600 mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 225 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 – 300 (at I_C = 10 mA, V_CE = 1 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300 MHz (typical)  
- **Package Type:** SOT-23 (3-Lead)  

### **Applications:**  
- General-purpose switching and amplification  
- Driver circuits  
- Signal processing  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.