VHF/UHF Transistors RoHS requirements. The LMBTH10WT1G is a PNP Bipolar Junction Transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
ON Semiconductor  

### **Part Number:**  
LMBTH10WT1G  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -12V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -20V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 400 (at I_C = -2mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** SOT-323 (SC-70)  
- **Pin Configuration:**  
  - **Pin 1:** Emitter  
  - **Pin 2:** Base  
  - **Pin 3:** Collector  

### **Features:**  
- High current gain bandwidth product  
- Low saturation voltage  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- Pb-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation from ON Semiconductor.