NAND02GW3B2CN6EManufacturer: STM 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
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| NAND02GW3B2CN6E | STM | 5530 | In Stock |
Description and Introduction
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory # Introduction to the NAND02GW3B2CN6E Electronic Component  
The NAND02GW3B2CN6E is a high-performance NAND logic gate IC designed for efficient digital signal processing in modern electronic circuits. As part of the NAND gate family, this component plays a crucial role in Boolean logic operations, providing reliable output based on inverted AND gate functionality.   Featuring a compact design and low power consumption, the NAND02GW3B2CN6E is well-suited for applications in embedded systems, computing devices, and communication equipment. Its robust construction ensures stable performance under varying operating conditions, making it a dependable choice for circuit designers.   Key characteristics of this component include fast switching speeds, minimal propagation delay, and compatibility with standard voltage levels, enhancing its versatility in both industrial and consumer electronics. Whether used in signal inversion, logic control, or memory interfacing, the NAND02GW3B2CN6E delivers consistent results while maintaining energy efficiency.   Engineers and developers can integrate this IC into PCB designs with ease, thanks to its standardized pin configuration and industry-compliant packaging. By leveraging its reliable logic functions, the NAND02GW3B2CN6E contributes to the optimization of digital circuit performance across various applications. |
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| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| NAND02GW3B2CN6E | NUMONYX | 17280 | In Stock |
Description and Introduction
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory **Introduction to the NAND02GW3B2CN6E Electronic Component**  
The NAND02GW3B2CN6E is a high-performance NAND flash memory component designed for applications requiring reliable and efficient data storage. As a non-volatile memory device, it retains stored information even when power is removed, making it ideal for embedded systems, consumer electronics, and industrial applications.   This component features a compact form factor and supports fast read/write operations, ensuring smooth performance in data-intensive environments. With a robust architecture, it offers durability and longevity, even under frequent write cycles. Its low power consumption further enhances its suitability for battery-powered devices.   Engineers and designers often select the NAND02GW3B2CN6E for its balance of speed, capacity, and endurance. It is commonly integrated into solid-state drives (SSDs), microcontrollers, and IoT devices where efficient storage solutions are critical.   Compatibility with standard NAND interfaces simplifies integration into existing designs, while its error correction capabilities help maintain data integrity. Whether used in industrial automation or portable electronics, the NAND02GW3B2CN6E provides a dependable solution for modern storage needs.   For detailed specifications, refer to the official datasheet to ensure optimal implementation in your design. |
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Specializes in hard-to-find components chips