The **PA28F200BV-T120** is a high-performance flash memory component designed by **Intel**, renowned for its reliability and efficiency in embedded systems and industrial applications. This device features a **2Mb (256KB) capacity**, organized in a flexible architecture that supports both **8-bit and 16-bit data bus configurations**, making it adaptable to various system designs.  

Built with **advanced CMOS technology**, the PA28F200BV-T120 offers fast access times and low power consumption, ensuring optimal performance in demanding environments. Its **120ns access speed** enables quick data retrieval, while its robust design ensures durability under extended operational conditions.  

Key features include **sector erase capability**, allowing selective memory block modifications, and **hardware data protection** to prevent accidental writes or erasures. The component operates within a **wide voltage range (4.5V to 5.5V)**, making it suitable for diverse power supply configurations.  

Ideal for **firmware storage, BIOS applications, and industrial control systems**, the PA28F200BV-T120 exemplifies Intel’s commitment to delivering high-quality, long-lasting memory solutions. Its combination of speed, endurance, and versatility makes it a dependable choice for engineers seeking reliable non-volatile storage in critical applications.