PDTB113EKManufacturer: NXP PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PDTB113EK | NXP | 15000 | In Stock |
Description and Introduction
PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ **Introduction to the PDTB113EK Electronic Component**  
The PDTB113EK is a high-performance, surface-mount phototransistor designed for a variety of optoelectronic applications. This compact component is widely used in light detection, optical switching, and signal processing due to its reliable sensitivity and fast response time.   Encased in a small, lead-free package, the PDTB113EK offers excellent ambient light rejection and is optimized for infrared (IR) detection. Its NPN silicon construction ensures efficient performance in low-power circuits, making it suitable for consumer electronics, industrial automation, and communication devices.   Key features include a high collector-emitter voltage rating and low dark current, enhancing its precision in light-sensing tasks. The component’s compatibility with automated assembly processes further simplifies integration into modern circuit designs.   Engineers and designers favor the PDTB113EK for its consistent performance, durability, and adaptability across diverse environments. Whether used in proximity sensors, encoders, or optical isolators, this phototransistor delivers dependable operation while maintaining energy efficiency.   With its robust design and industry-standard specifications, the PDTB113EK remains a practical choice for applications requiring accurate light detection and signal conversion. |
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Specializes in hard-to-find components chips