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SI1013R-T1-E3 from SI

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SI1013R-T1-E3

Manufacturer: SI

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI1013R-T1-E3,SI1013RT1E3 SI 2444 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI1013R-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **Vishay Siliconix (SI)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -20A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ at VGS = -4.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact SOT-23 Package:** Space-saving design for portable and compact electronics.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Power management, load switching, DC-DC converters, and battery protection circuits.  

This information is sourced from Vishay Siliconix datasheets and product documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI1013R-T1-E3,SI1013RT1E3 VISHAY 15000 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI1013R-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI1013R-T1-E3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGSS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -3.4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -13.6A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 85mΩ (max) at VGS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Package:** SOT-23 (TO-236AB)  

### **Descriptions:**  
The SI1013R-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is suitable for power management in portable electronics, battery protection circuits, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power losses  
- Fast switching performance  
- Small SOT-23 package for space-constrained applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet.

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