Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI1035X-T1-E3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI1035X-T1-E3  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.8A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.042Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** SOT-23  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON))  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Designed for power management applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the SI1035X-T1-E3 MOSFET. No additional guidance or suggestions are provided.