N-Channel 30 V (D-S) MOSFET The part **SI2338DS** is manufactured by **Vishay**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2338DS  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -4.3A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (max) at VGS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Package:** PowerPAK® SC-70 (SOT-323)  
### **Description:**
The **SI2338DS** is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for battery-powered devices, load switching, and DC-DC conversion.
### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Compact Package:** PowerPAK® SC-70 (SOT-323) for space-constrained designs.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Threshold Voltage:** Suitable for low-voltage drive circuits.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.