N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET The SUP40N10-30-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUP40N10-30-E3  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 160A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 30mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2000pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
### **Descriptions:**  
- A high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- Suitable for high-current, high-voltage applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- Features low on-resistance for reduced conduction losses.  
### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 40A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.